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- FIB電路修改，可做28nm工藝制程（FEI G5);
- 化學(xué)或物理辦法開蓋（decap)、取die、去層、remark、拍照找異常；
- RA可靠性測(cè)試，Burn-in Board、Dut Card、HTOL、THB、HAST、TCT、THST、THCT、HTGB、HTRB、PCT、BLT、H3TRB、MSL、Reflow、HTST、LTST、、、、
- MPW(block、5*5）、wafer(6寸-12寸）、shuttle、砷化鎵的減劃、切割、裸die自動(dòng)挑揀、真空包裝;
- 小批量IC陶瓷快速封裝，如DIP、QFP、SOP、QFN、LCC、PGA、SIP、BGA、、、
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- ESD、Latch up、HBM、MM、CDM、wafer CP、FT測(cè)試；
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